Два успеха экстремального ультрафиолета (ЭУФ)
Nanocomplex.jpg Доля фотовольтаических тонкопленочных элементов на мировом рынке солнечных элементов составляет 20%, а в США – ~44%. По оценкам, общая емкость тонкопленочных фотовольтаических солнечных элементов, произведенных в мире к 2010 г., составит 3700 МВт (в США – 1127 МВт, в Японии – 1312 МВт, в Европе – 793 МВт, в Азии – 472 МВт.
На проходящей на этой неделе в San Jose (США) конференции «Перспективная литография» прозвучали два сенсационных сообщения – AMD и IBM изотовили первый чип с применением ЭУФ; японская Canon раскрыла важные сведения о своей ЭУФ литографической установке.

Партнеры по исследованиям в области новейших технологий для компьютерных чипов компании Advanced Micro Devices (AMD) и IBM сообщили о рабоспособном тестовом чипе, изготовленном с использованием экстремальной ультрафиолетовой (ЭУФ, длина волны 13,5 нм) литографии для критического первого слоя металлических межсоединений по всей поверхности чипа (в предыдущем сообщении говорилось лишь о применении ЭУФ лишь на узкой области чипа) [1].

Работа выполнялась сотрудниками AMD, IBM и другими партнерами на Нанотехнологическом комплексе в Олбани (Albany NanoTech Complex).

Таким образом, продемонстрирована возможность успешной интеграции ЭУФ литографии «полного поля» в 45-нм технологический процесс на площади 22х33 мм2.

Nanocomplex.jpg

Тестовый чип сначала был изготовлен на фабрике компании AMD (Fab 36 в Дрездене, Германия) с использованием 193-нм иммерсионной литографии, затем был переправлен в Олбани, где установлен ЭУФ литографический сканнер производства голландской компании ASML, и здесь был сформирован рисунок первого слоя металлических межсоединений транзисторов. Следующие операции (травление, осаждение металла и тестирование) проводилось в компании AMD.

AMD надеется, что этот успех будет содействовать быстрейшему переходу к изготовлению других критических слоев микросхемы, чтобы первыми продемонстрировать работающий микропроцессорный чип, изготовленный с применением ЭУФ.

Canon (Токио) является частью ЭУФ консорциума (EUV consortium) в Японии, но компания никогда не заявляла о своей готовности к независимому выходу на «ЭУФ рынок». Как стало известно из доклада на конференции, Canon поставила устройство для экспонирования малого поля (small-field exposure tool – SFET) японсому чипмейкеру Selete consortium. SFET – это устройство для проведения исследований, а не для производственных целей. SFET имеет поле экспонирования размером 0,3 (и 0,2) x 0,6 мм2 [2]. Согласно Selete, устройство позволяет рисовать 24-нм линии.

Сотрудники Selete также испытали ЭУФ установку (EUV1) и другого японского производителя компании Nikon, сформировав на чипе контактые площадки шириной 30 нм.

В текущем году Canon также планирует поставлять установки для 193-нм иммерсионной литографии (FPA-7000AS7) промышлнного типа.

Согласно Международной маршрутной карте для полупроводников (International Technology Roadmap for Semiconductors) ЭУФ литография войдет в серийный литографический процесс к 2016 г. в рамках 22-нм технологии. Похоже, что реальность может опередить прогнозы экспертов.

Автор – С.Т.К.



Umanoid on Sunday 16 May 2010 - 22:19:30

News Categories
 

Нас поддерживают:
православный сайт 2009. Все права защищены. При перепечатке обязательна ссылка www.rus-nano.ru.